Zespół badaczy z Chin ogłosił stworzenie prototypu pamięci nieulotnej, która jest 100 000 razy szybsza niż istniejące odpowiedniki. Wyniki, opublikowane w Nature, opisują technologię zdolną do operacji odczytu i zapisu w zaledwie 0,4 nanosekundy. Dla porównania, jest to dziesiątki tysięcy razy szybsze niż obecne układy pamięci podręcznej oparte na SRAM.
Rozwój oparty jest na materiałach dwuwymiarowych — grafenie i diselenku tungstenowym (WSe₂). Ich unikalne właściwości pozwoliły badaczom przezwyciężyć fizyczne ograniczenia tranzystorów krzemowych, które pozostają w dużej mierze niezmienione od lat 60. XX wieku. W tradycyjnych systemach prędkość jest ograniczona przez potrzebę „przyspieszania” elektronów za pomocą pola elektromagnetycznego. W tej nowej pamięci cząstki zachowują się jak bezmasowe, co drastycznie zmniejsza straty energii i przyspiesza transfer danych.
Prototyp ma skromną pojemność około 1 KB, ale wykazuje imponującą niezawodność z ponad 5,5 miliona cykli zapisu bez degradacji. Badacze zauważają, że kluczowym wyzwaniem teraz jest skalowanie technologii. W ciągu następnych pięciu lat planują zwiększyć pojemność pamięci do dziesiątek megabajtów i rozpocząć produkcję komercyjną.
Rozwój trwa od 2015 roku. W 2021 roku zaproponowano model teoretyczny, a w 2024 roku stworzono pierwszy układ z długością kanału 8 nm, niemal połowę limitu dla odpowiedników opartych na krzemie. Według badaczy wdrożenie takiego magazynu mogłoby zmniejszyć zużycie energii przez procesory i przyspieszyć zadania w sieciach neuronowych, gdzie prędkość przetwarzania danych jest kluczowa.