Amerykański startup NEO Semiconductor ujawnili trzy innowacyjne podejścia do projektowania pamięci , które mogą zdefiniować na nowo standardy branżowe dotyczące wydajności i efektywności energetycznej. Nowa linia 3D X-DRAM obejmuje struktury komórkowe 1T1C, 3T0C i 1T0C — łącząc elementy architektury 3D NAND z materiałami metalowo-tlenkowymi.
Zgodnie z informacjami firmy, kluczową zaletą 3D X-DRAM jest gęstość chipów — do 512 Gb, co jest mniej więcej dziesięć razy wyższe niż w przypadku konwencjonalnego DRAM. Ten skok jest możliwy dzięki pionowemu układaniu komórek pamięci, podobnie jak w przypadku produkcji 3D NAND. Użycie tranzystorów IGZO (tlenek indu i galu) dodatkowo zwiększa wydajność, osiągając prędkości dostępu do danych wynoszące zaledwie 10 nanosekund, jednocześnie zmniejszając zużycie energii.
Jedną z najbardziej przekonujących zalet tej technologii jest jej potencjał do zmniejszenia zapotrzebowania na energię. Dzięki wydłużonym czasom przechowywania ładunku — do 450 sekund — nowe komórki pamięci wymagają mniej cykli odświeżania. Jest to szczególnie istotne dla centrów danych i urządzeń o niskim poborze mocy. Wariant 3T0C, który całkowicie eliminuje kondensatory, został zaprojektowany z myślą o obciążeniach AI, podczas gdy komórka 1T1C pozostaje kompatybilna z istniejącymi standardami DRAM. Co ważne, proces produkcji został jedynie minimalnie zmieniony, co umożliwia łatwiejszą integrację z obecnymi liniami produkcyjnymi.
Na tym etapie projekt pozostaje w fazie symulacji, a próbki prototypowe spodziewane są do 2026 roku. NEO Semiconductor planuje zaprezentować technologię na Międzynarodowym Warsztacie Pamięci IEEE w maju 2025 roku. Jak dotąd, główni gracze, tacy jak Samsung i SK Hynix, jeszcze nie odpowiedzieli publicznie na ogłoszenie. Jednakże, w miarę rosnącego zapotrzebowania na pamięć o wysokiej wydajności — szczególnie dla AI i złożonych obliczeń — rozwiązanie NEO może wkrótce przyciągnąć znaczące zainteresowanie branży.