US startup NEO Semiconductor wprowadził swoją architekturę pamięci X-HBM, twierdząc, że jej specyfikacje znacznie przewyższają nawet oczekiwane oferty konkurencji planowane na lata 2030-2040. Kluczowym przełomem X-HBM jest radykalny wzrost przepustowości i gęstości przechowywania danych.
Architektura wykorzystuje 32-bitową szynę danych i oferuje gęstość do 512 gigabitów na układ. Dla kontekstu: pamięć HBM5, oczekiwana do 2030 roku, ma mieć tylko 4-bitową szynę i gęstość około 40 Gb/układ. Nawet prognozowana HBM8 (około 2040 roku) pozostaje w tyle z przewidywanymi specyfikacjami 16K-bit i 80 Gb.
Kluczowe cechy:
Pomimo imponującego ogłoszenia, NEO Semiconductor jeszcze nie ujawnili żadnych podpisanych kontraktów ani zainteresowania ze strony głównych producentów układów lub pamięci, aby wprowadzić X-HBM do masowej produkcji. Obserwatorzy zauważają, że branża tradycyjnie jest ostrożna wobec rewolucyjnych rozwiązań, które nie były testowane w masowej produkcji, gdzie niezawodność i opłacalność pozostają kluczowymi czynnikami.
Architektura X-HBM została szczegółowo przedstawiona na szczycie FMS, który rozpoczął się wczoraj (5 sierpnia 2025 roku). Chociaż technologia teoretycznie otwiera drzwi do skoku w wydajności systemów AI, jej praktyczna implementacja i sukces komercyjny będą jasne tylko z wsparciem partnerów branżowych.