AMD zaproponowało nietypowe rozwiązanie inżynieryjne, które może dramatycznie zwiększyć prędkość pamięci, skutecznie poprawiając wydajność DDR5 bez potrzeby wprowadzania nowej generacji. Technologia, opisana w niedawno opublikowanym patencie firmy, może podwoić przepustowość modułów obecnej generacji poprzez zmianę ich architektury.
Nowe podejście polega na tworzeniu HB-DIMM (High-Bandwidth DIMMs), których kluczowym elementem jest zestaw wyspecjalizowanych układów buforowych, które zarządzają wieloma urządzeniami DRAM jednocześnie. Te układy organizują przepływ danych w sposób, który zwiększa efektywną prędkość transferu szyny pamięci z 6,4 Gb/s do 12,8 Gb/s.
Główną zaletą tego rozwoju jest jego zgodność z ustalonymi procesami produkcyjnymi. Wprowadzenie tej technologii na rynek nie wymaga radykalnych zmian w standardach ani liniach produkcyjnych. Architektura opiera się na systemie tzw. pseudo-kanałów, gdzie wyspecjalizowany kontroler dekoduje polecenia i rozdziela zadania pomiędzy te niezależne kanały. Umożliwia to równoległe przetwarzanie danych, odchodząc od tradycyjnego sekwencyjnego dostępu, który ogranicza ogólną przepustowość.
Technologia wspiera elastyczne tryby pracy (1n i 2n), co pomaga optymalizować czasy i zmniejszać zależność od mocy. Aby obniżyć opóźnienia, inżynierowie AMD wprowadzili również format transferu danych bez przeplatania, co korzystnie wpływa na integralność sygnału. Ta nowa aplikacja patentowa jest częścią szerszej strategii AMD, mającej na celu znalezienie ukierunkowanych ulepszeń inżynieryjnych w celu przezwyciężenia systemowych wąskich gardeł. Firma wcześniej składała patenty w obszarach systemów chłodzenia i optymalizacji pamięci podręcznej.
Zamiast po prostu dążyć do wyższych pojemności, firma poszukuje sposobów na radykalne poprawienie efektywności istniejących komponentów. Podobna filozofia – robienie więcej z mniejszą ilością – jest demonstrowana przez inne osiągnięcie AMD. Inżynierowie wcześniej wprowadzili metodę renderowania złożonych obiektów 3D, która zużywa zaledwie 52 KB VRAM zamiast gigabajtów. Takie ukierunkowane innowacje w pamięci i obliczeniach mogą ostatecznie prowadzić do znacznego skoku wydajności w przyszłych systemach komputerowych.