Micron ogłasza nowy DDR5-9200 — rewolucję w DRAM z litografią EUV

Micron Technology wprowadził swój najnowszy chip DDR5, wyprodukowany przy użyciu procesu 1γ z litografią EUV — to pierwszy taki produkt w firmie. Nowa pamięć DRAM o pojemności 16 gigabitów (2 GB) osiąga prędkości transferu danych do 9200 MT/s przy standardowym napięciu 1,1 V, znacznie przewyższając podstawowe wymagania nowoczesnych standardów.

Nowy produkt nie tylko oferuje wyższą prędkość zegara, ale także charakteryzuje się lepszą efektywnością energetyczną. W porównaniu do swojego poprzednika, który został zbudowany w oparciu o proces 1β, nowy chip zużywa o 20% mniej energii i zapewnia o 30% wyższą gęstość bitów, co potencjalnie obniża koszty produkcji przy osiągnięciu optymalnych wydajności. Chociaż 9200 MT/s wykracza poza typowe specyfikacje DDR5, Micron zapewnia, że chip w pełni spełnia standardy JEDEC, torując drogę do kompatybilności z przyszłymi procesorami.

Na tym etapie firma wysyła próbki nowej pamięci do wybranych partnerów w celu przeprowadzenia kompleksowych testów. Testy kwalifikacyjne mają zostać zakończone do końca kwartału, a masowa produkcja planowana jest na połowę 2025 roku. Proces 1γ, który wprowadza litografię EUV do produkcji, łączy tradycyjne techniki wielowarstwowe DUV z najnowszymi innowacjami, takimi jak bramy metalowe wysokiego k oraz ulepszona architektura interkonektów na końcu linii (BEOL).

Micron na tym nie poprzestaje — firma planuje dalej wykorzystywać proces 1γ w opracowywaniu nowych produktów, w tym rozwiązań dla kart graficznych (GDDR7) oraz urządzeń mobilnych (LPDDR5X z prędkościami do 9600 MT/s). Ten strategiczny krok pozwoli Micronowi wzmocnić swoją pozycję na rynku pamięci, oferując innowacyjne rozwiązania zarówno dla systemów o wysokiej wydajności, jak i energooszczędnych urządzeń mobilnych.