Główni producenci pamięci wstrzymają produkcję DDR3 i DDR4 w 2025 roku
Arkadiy Andrienko
Wiodący producenci pamięci DRAM — Samsung Electronics, SK Hynix i Micron — przygotowują się na znaczące zmiany na rynku pamięci. Według źródeł branżowych, firmy te mogą całkowicie zaprzestać produkcji modułów DDR3 i DDR4 do końca 2025 roku, koncentrując się na DDR5 i pamięci o wysokiej przepustowości (HBM).
Zaprzestanie produkcji starszych standardów pamięci może prowadzić do niedoborów DDR3 i DDR4 już w drugiej połowie 2025 roku. Analitycy ostrzegają, że gdy produkcja ustanie, istniejące zapasy będą pod presją, a podaż będzie w dużej mierze zależna od tajwańskich producentów, takich jak Nanya Technology i Winbond. Jednak nawet oni prawdopodobnie nie będą w stanie w pełni zrekompensować potencjalnego deficytu.
Kluczowym powodem wycofania DDR3 i DDR4 jest zmiana priorytetów w branży. Główni producenci koncentrują się na modułach pamięci o wysokiej prędkości, które są niezbędne dla rozwiązań serwerowych, sztucznej inteligencji i chmury obliczeniowej. W odpowiedzi na ten trend, Winbond planuje przejście na proces 16nm, co umożliwi mu produkcję chipów pamięci 8-gigabitowych.
Według prognoz Nanya Technology, rynek DRAM osiągnie najniższy punkt na początku 2025 roku, po czym nastąpi odbicie napędzane rosnącym popytem i poprawą zarządzania zapasami. W przyszłości główny nacisk będzie kładziony na DDR5 i HBM, oferujące lepszą przepustowość i efektywność energetyczną.
Podczas gdy Samsung i SK Hynix dążą do skoncentrowania się na nowoczesnych modułach pamięci, inni producenci, w tym chińska firma CXMT, mogą wkroczyć na rynek DDR4. Jednak eksperci pozostają sceptyczni, że to w pełni zrekompensuje wycofanie się największych graczy branżowych ze starszych standardów. W rezultacie przejście na DDR5 wydaje się nieuniknione, a użytkownicy polegający na DDR3 i DDR4 mogą w nadchodzących latach zmierzyć się z rosnącymi cenami i ograniczoną dostępnością modułów.
-
Rewolucja pamięci: DRAM+ o niskiej wrażliwości gotowy do produkcji -
Standard pamięci HBM4 oficjalnie ujawniony — podwójna prędkość i efektywność energetyczna -
NVIDIA i partnerzy opracowują SOCAMM — przyszłość pamięci dla komputerów AI -
Samsung i SK Hynix ujawniają pamięć, której nawet najlepsze GPU nie mogą obsłużyć -
Micron ogłasza nowy DDR5-9200 — rewolucję w DRAM z litografią EUV

