Rewolucja pamięci: DRAM+ o niskiej wrażliwości gotowy do produkcji

Ferroelectric Memory Co. (FMC) i Neumonda połączyły siły, aby wprowadzić na rynek DRAM+ — technologię pamięci nowej generacji, która łączy wydajność tradycyjnego DRAM z możliwością przechowywania danych bez zasilania, podobnie jak SSD.

W sercu DRAM+ znajduje się ferroelektryczny tlenek hafnu (HfO₂), który zastępuje konwencjonalne kondensatory zwykle stosowane w komórkach pamięci. Ta innowacja zachowuje cechy wysokiej prędkości DRAM, eliminując jednocześnie potrzebę stałego zasilania do przechowywania danych. Poprzednie próby wykorzystywały tytanian ołowiu i cyrkonu (PZT), ale ten materiał okazał się zbyt trudny i drogi do skalowania dla nowoczesnych, miniaturowych projektów chipów.

W przeciwieństwie do PZT, HfO₂ jest w pełni kompatybilny z istniejącymi procesami wytwarzania półprzewodników — nawet tymi wykorzystującymi technologię poniżej 10 nm. To otwiera drzwi do tworzenia pamięciowych chipów o wielkości wielu gigabajtów, co sprawia, że DRAM+ jest poważnym konkurentem dla standardowego DRAM pod względem gęstości danych. Neumonda dostarczy swoje wyspecjalizowane platformy testowe — Rhinoe, Octopus i Raptor — do oceny nowej pamięci. Te platformy zostały zaprojektowane z myślą o niskim zużyciu energii i oferują możliwości analizy, które tradycyjne urządzenia nie mogą dorównać.

Oczekuje się, że DRAM+ najpierw znajdzie zastosowanie w elektronice samochodowej, urządzeniach medycznych i systemach uczenia maszynowego. Co więcej, technologia może być zintegrowana z obecnymi liniami produkcyjnymi bez większych przeróbek — kluczowa zaleta, która może przyspieszyć jej wdrożenie.