Intel łączy nową strategię pamięci z przyszłym projektowaniem procesorów, a Lip-Bu Tan mówi, że firma rozważa konfigurację, która umieszcza DRAM pionowo nad procesorem, pomijając warstwę pośrednią. Tan dodał również, że pamięć staje się kluczowym czynnikiem w przyszłych chipach, a nie zewnętrznym dodatkiem, szczególnie dla obciążeń AI.
Firma wprowadziła również byłego CEO SK hynix, Seok-Hee Lee, aby wzmocnić swoje prace nad zaawansowaną pamięcią i pakowaniem. Intel stara się pchnąć ten kierunek z więcej niż jednego kąta, jednocześnie utrzymując główny nacisk na produkty procesorowe. Jedną z architektur, które Intel rozważa, jest pionowy DRAM nad procesorem. Według firmy, mogłoby to skrócić ścieżki danych i zwiększyć szerokość interfejsu, ale Intel przyznaje również, że podejście to ma wyraźne wady, w tym problemy z chłodzeniem i wyzwaniami związanymi z wydajnością chipów.
Intel opisał również XBM w patencie, technologię, która unika pośredniej warstwy krzemowej używanej w tradycyjnym HBM. Firma twierdzi, że to podejście mogłoby obniżyć koszty, co czyni je szczególnie interesującym w kontekście szerszych planów dotyczących pamięci. Jednocześnie Intel nie planuje powrotu do masowej produkcji DRAM. Zamiast tego firma chce skupić się na integracji pamięci i pakowaniu dla przyszłych produktów, aby Xeon, Core i akceleratory wyróżniały się bardziej na tle konkurencji.
Ambicje Intela w zakresie pamięci stają się coraz poważniejsze, ale firma wciąż wydaje się niechętna do ponownego zostania masowym producentem DRAM. Wprowadziła również Seok-Hee Lee , aby pomóc w realizacji tej strategii, co rodzi pytanie, czy sama integracja i pakowanie będą wystarczające.
Czy Intel może wyróżnić się w pamięci, koncentrując się na integracji i pakowaniu zamiast na masowej produkcji DRAM?
